Infineon IPZ Type N-Channel MOSFET, 40 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PQFN IPZ40N04S58R4ATMA1

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217-2589
Référence fabricant:
IPZ40N04S58R4ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

IPZ

Package Type

PQFN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13.7nC

Maximum Power Dissipation Pd

34W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon 40V, N-Ch, 8.4 mΩ max, Automotive MOSFET, S3O8, OptiMOS™-5.

OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications

N-channel - Enhancement mode - Normal Level

AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green Product (RoHS compliant)

100% Avalanche tested

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