Infineon IPZ Type N-Channel MOSFET, 40 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PQFN IPZ40N04S55R4ATMA1
- N° de stock RS:
- 229-1852
- Référence fabricant:
- IPZ40N04S55R4ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 15 unités)*
7,605 €
(TVA exclue)
9,195 €
(TVA incluse)
Ajouter 165 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
Dernier stock RS
- 4 500 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,507 € | 7,61 € |
| 75 - 135 | 0,481 € | 7,22 € |
| 150 - 360 | 0,461 € | 6,92 € |
| 375 - 735 | 0,441 € | 6,62 € |
| 750 + | 0,411 € | 6,17 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 229-1852
- Référence fabricant:
- IPZ40N04S55R4ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | IPZ | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 48W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 3.3 mm | |
| Height | 1.05mm | |
| Length | 3.3mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PQFN | ||
Series IPZ | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 48W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 3.3 mm | ||
Height 1.05mm | ||
Length 3.3mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon n channel normal level MOSFET used for automotive applications. It has 175°C operating temperature and 100 percent avalanche tested.
It is RoHS compliant and AEC Q101 qualified
Liens connexes
- Infineon IPZ Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon IPZ Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PQFN IPZ40N04S58R4ATMA1
- Infineon IPZ Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon IPZ Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PQFN IPZ40N04S53R1ATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon IAUT Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PQFN