Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 8.5 A, 700 V N, 3-Pin TO-220

Offre groupée disponible

Sous-total (1 tube de 50 unités)*

16,65 €

(TVA exclue)

20,15 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 400 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
50 - 500,333 €16,65 €
100 - 2000,324 €16,20 €
250 - 4500,316 €15,80 €
500 - 12000,308 €15,40 €
1250 +0,30 €15,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
217-2500
Référence fabricant:
IPAN70R600P7SXKSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Series

CoolMOS

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

600mΩ

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-40°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Power Dissipation Pd

82W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

29.87mm

Length

16.1mm

Standards/Approvals

No

Width

4.8 mm

Automotive Standard

No

The Infineon 700V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains compared to superjunction technologies used today. By combining customers’ feedback with over 20 years of superjunction MOSFET experience, 700V CoolMOS™ P7 enables best fit for target applications in terms of: Efficiency and thermals Ease-of-use EMI behaviour.

Extremely low FOM R DS(on) x E oss; lower Q g, E on and E off

Highly performant technology

Low switching losses (E oss)

Highly efficient

Excellent thermal behaviour

Allowing high speed switching

Integrated protection Zener diode

Optimized V (GS)th of 3V with very narrow tolerance of ±0.5V

Finely graduated portfolio

Liens connexes