Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS80R900P7AKMA1
- N° de stock RS:
- 214-9110
- Référence fabricant:
- IPS80R900P7AKMA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 1,047 € | 15,71 € |
| 75 - 135 | 0,995 € | 14,93 € |
| 150 - 360 | 0,953 € | 14,30 € |
| 375 - 735 | 0,912 € | 13,68 € |
| 750 + | 0,848 € | 12,72 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 214-9110
- Référence fabricant:
- IPS80R900P7AKMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-251 | |
| Series | CoolMOS P7 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 900mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 45W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 6.22mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.7mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-251 | ||
Series CoolMOS P7 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 900mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 45W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 6.22mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.7mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation. These are Easy to drive and to parallel, enabling higher power density designs, BOM savings and lower assembly costs.
Fully optimized portfolio
Integrated Zener Diode ESD protection
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