Infineon CoolMOS P6 Type N-Channel MOSFET, 22.4 A, 600 V Enhancement, 5-Pin VSON IPL60R180P6AUMA1
- N° de stock RS:
- 214-9074
- Référence fabricant:
- IPL60R180P6AUMA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,534 € | 12,67 € |
| 50 - 120 | 2,41 € | 12,05 € |
| 125 - 245 | 2,31 € | 11,55 € |
| 250 - 495 | 2,25 € | 11,25 € |
| 500 + | 2,192 € | 10,96 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 214-9074
- Référence fabricant:
- IPL60R180P6AUMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 22.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | VSON | |
| Series | CoolMOS P6 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 180mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 176W | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Width | 8.1 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 8.1mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 22.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type VSON | ||
Series CoolMOS P6 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 180mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 176W | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Width 8.1 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 8.1mm | ||
Height 1.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS P6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.
Increased MOSFET dv/dt ruggedness
Easy to use/drive
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