Références fabricant

Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET, 22.4 A, 600 V Enhancement, 5-Pin VSON

N° de stock RS:: 214-9073
Référence fabricant:: IPL60R180P6AUMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon CoolMOS P6 N-Channel MOSFET, 22.4 A, 600 V Enhancement, 5-Pin VSON

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 214-9073
Référence fabricant:: IPL60R180P6AUMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	22.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	CoolMOS P6
	Package Type	VSON
	Mount Type	Surface
	Pin Count	5
	Maximum Drain Source Resistance Rds	180mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	44nC
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Forward Voltage Vf	900mV
	Maximum Power Dissipation Pd	176W
	Height	1.1mm
	Length	8.1mm
	Standards/Approvals	No
	Width	8.1mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 22.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series CoolMOS P6
	Package Type VSON
	Mount Type Surface
	Pin Count 5
	Maximum Drain Source Resistance Rds 180mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 44nC
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Forward Voltage Vf 900mV
	Maximum Power Dissipation Pd 176W
	Height 1.1mm
	Length 8.1mm
	Standards/Approvals No
	Width 8.1mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPL60R180P6AUMA1

The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS P6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.

Increased MOSFET dv/dt ruggedness

Easy to use/drive

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