Infineon CoolMOS C6 Type N-Channel MOSFET, 2.4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252

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N° de stock RS:
214-9042
Référence fabricant:
IPD60R2K0C6ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

CoolMOS C6

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.7nC

Maximum Power Dissipation Pd

22.3W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Width

6.22 mm

Height

2.41mm

Automotive Standard

No

The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS C6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.

Easy to use/drive

Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications

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