Infineon CoolMOS C6 Type N-Channel MOSFET, 10.6 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R380C6ATMA1

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753-3011
Référence fabricant:
IPD60R380C6ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

10.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

CoolMOS C6

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

380mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Width

6.22 mm

Height

2.41mm

Automotive Standard

No

Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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