Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 82 A, 75 V, 3-Pin TO-263 IRF2807STRLPBF

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214-4444
Référence fabricant:
IRF2807STRLPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

82A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

13mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

230W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

160nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-39-413

This Infineon HEXFET Power MOSFET utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design provides reliable and efficient device

It is fully avalanche rated

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