Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET, 1.5 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 BSD214SNH6327XTSA1

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214-4333
Référence fabricant:
BSD214SNH6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

1.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SOT-363

Series

OptiMOS 2

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

250mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

0.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.8nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

2.02mm

Width

1.35 mm

Height

1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™2 Small-Signal-Transistor are Qualified according to AEC Q101.

N-channel

Enhancement mode

Super Logic level (2.5V rated)

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