Vishay SQJ140EP N-Channel MOSFET, 266 A, 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ140EP-T1_GE3

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210-5030
Référence fabricant:
SQJ140EP-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

266A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SO-8

Series

SQJ140EP

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

88W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

49.2nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.26mm

Height

1.12mm

Length

6.25mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET has PowerPAK SO-8L package type with 266 A drain current.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

Qgd/Qgs ratio < 1 optimizes switching characteristics

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