Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 266 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SQJ140EP-T1_NE3
- N° de stock RS:
- 904-969
- Référence fabricant:
- SQJ140EP-T1_NE3
- Fabricant:
- Vishay
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- N° de stock RS:
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- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 266A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0021Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 49.2nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 263W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.15mm | |
| Standards/Approvals | ROHS | |
| Width | 4.9mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 266A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type PowerPAK | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0021Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 49.2nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 263W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.15mm | ||
Standards/Approvals ROHS | ||
Width 4.9mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- GB
The Vishay power MOSFET provides reliable switching performance and efficient operation for automotive applications and demanding environments, ensuring optimal power management and enhanced device longevity.
AEC-Q101 qualified for automotive applications
TrenchFET Gen IV technology optimises switching characteristics
Low on-state resistance enhances overall efficiency
Wide operational temperature range of -55 to +175 °C
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