Vishay E Type N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB15N80AE-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

12,05 €

(TVA exclue)

14,60 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 2 990 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 +2,41 €12,05 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
210-4970
Référence fabricant:
SIHB15N80AE-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

13A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

E

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

304mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

35nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

158W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

14.61mm

Standards/Approvals

No

Width

9.65 mm

Height

4.06mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has D2PAK (TO-263) package type with 13 A drain current.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Liens connexes