Vishay E Type N-Channel MOSFET, 15 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263

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210-4971
Référence fabricant:
SIHB17N80AE-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

15A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

E

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

250mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

4.06mm

Length

14.61mm

Width

9.65 mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has D2PAK (TO-263) package type with 15 A drain current.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

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