DiodesZetex DMTH10 Type N-Channel MOSFET, 20.1 kA, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

2 640,00 €

(TVA exclue)

3 195,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 2 500 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +1,056 €2 640,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
206-0158
Référence fabricant:
DMTH10H4M5LPS-13
Fabricant:
DiodesZetex
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

DiodesZetex

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

20.1kA

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

DMTH10

Package Type

PowerDI5060

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Power Dissipation Pd

2.7W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

0.9mm

Length

6.15mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The DiodesZetex 100V,8 pin N-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, this device is ideal for use in notebook battery power management and load switch. Its gate-source voltage is 20V with 2.7 W thermal power dissipation.

Low on-resistance

Fast switching speed

Liens connexes