Références fabricant

DiodesZetex DMTH10 N-Channel MOSFET, 20.1 kA, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060

N° de stock RS:: 206-0158
Référence fabricant:: DMTH10H4M5LPS-13
Fabricant:: DiodesZetex

DiodesZetex DMTH10 N-Channel MOSFET, 20.1 kA, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

2 520,00 €

(TVA exclue)

3 050,00 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

En stock

Plus 2 500 unité(s) expédiée(s) à partir du 21 septembre 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
2500 +	1,008 €	2 520,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 206-0158
Référence fabricant:: DMTH10H4M5LPS-13
Fabricant:: DiodesZetex

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	20.1kA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	PowerDI5060
	Series	DMTH10
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	6.2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	2.7W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	80nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.9mm
	Length	6.15mm
	Standards/Approvals	No
	Width	5.15mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 20.1kA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type PowerDI5060
	Series DMTH10
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 6.2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 2.7W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.9mm
	Length 6.15mm
	Standards/Approvals No
	Width 5.15mm
	Automotive Standard No

Datasheet - DMTH10H4M5LPS-13

Pays d'origine :: CN

The DiodesZetex 100V,8 pin N-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, this device is ideal for use in notebook battery power management and load switch. Its gate-source voltage is 20V with 2.7 W thermal power dissipation.

Low on-resistance

Fast switching speed

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.