DiodesZetex DMTH10 N-Channel MOSFET, 20.1 kA, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060 DMTH10H4M5LPS-13
- N° de stock RS:
- 206-0159
- Référence fabricant:
- DMTH10H4M5LPS-13
- Fabricant:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
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| 50 - 95 | 1,108 € | 5,54 € |
| 100 - 245 | 1,08 € | 5,40 € |
| 250 - 995 | 1,052 € | 5,26 € |
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- N° de stock RS:
- 206-0159
- Référence fabricant:
- DMTH10H4M5LPS-13
- Fabricant:
- DiodesZetex
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20.1kA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PowerDI5060 | |
| Series | DMTH10 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.7W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.15mm | |
| Length | 6.15mm | |
| Height | 0.9mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20.1kA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PowerDI5060 | ||
Series DMTH10 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.7W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.15mm | ||
Length 6.15mm | ||
Height 0.9mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The DiodesZetex 100V,8 pin N-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, this device is ideal for use in notebook battery power management and load switch. Its gate-source voltage is 20V with 2.7 W thermal power dissipation.
Low on-resistance
Fast switching speed
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