DiodesZetex Type P-Channel MOSFET, 10.7 A, 12 V Enhancement PowerDI5060-8 DMP3011SPSW-13
- N° de stock RS:
- 254-8629
- Référence fabricant:
- DMP3011SPSW-13
- Fabricant:
- DiodesZetex
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 25 unités)*
14,675 €
(TVA exclue)
17,75 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Dernier stock RS
- 2 500 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,587 € | 14,68 € |
| 50 - 75 | 0,575 € | 14,38 € |
| 100 - 225 | 0,452 € | 11,30 € |
| 250 - 975 | 0,442 € | 11,05 € |
| 1000 + | 0,359 € | 8,98 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 254-8629
- Référence fabricant:
- DMP3011SPSW-13
- Fabricant:
- DiodesZetex
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 12V | |
| Package Type | PowerDI5060-8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 41mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.73W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 46nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 12V | ||
Package Type PowerDI5060-8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 41mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.73W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The DiodeZetex P channel enhancement mode MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. It is applicable in DC to DC converters
Low on resistance
Low input capacitance
Halogen and antimony Free
Liens connexes
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 30 V PowerDI5060-8 DMP3011SPSW-13
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 30 V PowerDI5060-8 DMP3021SPDW-13
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 30 V PowerDI5060-8 DMPH33M8SPSW-13
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 30 V PowerDI5060-8 DMPH33M8SPSWQ-13
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 30 V PowerDI5060-8 DMP3011SPDW-13
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 30 V PowerDI5060-8 DMP3021SPSW-13
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PowerDI5060-8 DMT36M1LPS-13
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PowerDI5060-8 DMP34M4SPS-13
