Vishay Dual SiZ270DT 2 Type N-Channel MOSFET, 19.1 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S

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N° de stock RS:
204-7263
Référence fabricant:
SIZ270DT-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

19.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SiZ270DT

Package Type

PowerPAIR 3 x 3S

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0377Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13.3nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

33W

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.75mm

Length

3.3mm

Width

3.3 mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFETs is an integrated MOSFET half bridge power stage and has a optimized Qgs/Qgs ratio improves switching characteristics.

100 % Rg and UIS tested

TrenchFET Gen IV power MOSFET

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