Vishay SQJA81EP N-Channel MOSFET, 46 A, 80 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJA81EP-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 204-7240
- Référence fabricant:
- SQJA81EP-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 20 unités)*
41,52 €
(TVA exclue)
50,24 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 05 juillet 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 2,076 € | 41,52 € |
| 40 - 80 | 1,66 € | 33,20 € |
| 100 - 180 | 1,453 € | 29,06 € |
| 200 - 480 | 1,204 € | 24,08 € |
| 500 + | 1,12 € | 22,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 204-7240
- Référence fabricant:
- SQJA81EP-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 46A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | SQJA81EP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 17.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 68W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 4.8mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.25mm | |
| Height | 1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 46A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series SQJA81EP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 17.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 68W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 4.8mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.25mm | ||
Height 1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET is AEC-Q101 qualified.
100 % Rg and UIS tested
TrenchFET Gen IV power MOSFET
Liens connexes
- Vishay SQJA81EP N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJA81EP-T1_GE3
- Vishay SQJA78EP N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJA78EP-T1_GE3
- Vishay SQJ N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ186ELP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -80 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ181ELP-T1_GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJ481EP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI7469ADP-T1-RE3
- Vishay SQ4850CEY N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQ4850CEY-T1_GE3
- Vishay SQ4840CEY N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQ4840CEY-T1_GE3