Vishay SiHB17N80E Type N-Channel MOSFET, 15 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB17N80E-GE3

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204-7227
Référence fabricant:
SIHB17N80E-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

15A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

SiHB17N80E

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

290mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

208W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

122nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

4.83 mm

Length

10.67mm

Height

15.88mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has a low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg and a low input capacitance (Ciss).

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

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