Vishay SiHP052N60EF Type N-Channel MOSFET, 48 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHP052N60EF-GE3

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Référence fabricant:
SIHP052N60EF-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

48A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220

Series

SiHP052N60EF

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

52mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

101nC

Maximum Power Dissipation Pd

278W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.65 mm

Standards/Approvals

No

Height

14.4mm

Length

10.52mm

Automotive Standard

No

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has a 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er)

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