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onsemi NTMJS1D4N06CL Type N-Channel MOSFET, 262 A, 60 V Enhancement, 8-Pin LFPAK

N° de stock RS:: 201-3408
Référence fabricant:: NTMJS1D4N06CLTWG
Fabricant:: onsemi

onsemi NTMJS1D4N06CL Type N-Channel MOSFET, 262 A, 60 V Enhancement, 8-Pin LFPAK

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N° de stock RS:: 201-3408
Référence fabricant:: NTMJS1D4N06CLTWG
Fabricant:: onsemi

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	262A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	NTMJS1D4N06CL
	Package Type	LFPAK
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.3Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	103nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	180W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	1.3 mm
	Height	5mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	4.9mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 262A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series NTMJS1D4N06CL
	Package Type LFPAK
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.3Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 103nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 180W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 1.3 mm
	Height 5mm
	Standards/Approvals RoHS
	Length 4.9mm
	Automotive Standard No

NTMJS1D4N06CLTWG Datasheet

The ON Semiconductor 60V N-channel MOSFET has industrial power in a 5x6mm is used for compact and efficient design and including high thermal performance and it is also these device are Pb-free and are RoHS compliant.

Low minimize conduction losses

Low QG and capacitance to minimize driver losses

onsemi NTMJS1D4N06CL Type N-Channel MOSFET, 262 A, 60 V Enhancement, 8-Pin LFPAK

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