onsemi NTMJS1D4N06CL N-Channel MOSFET, 262 A, 60 V Enhancement, 8-Pin LFPAK
- N° de stock RS:
- 201-3408
- Référence fabricant:
- NTMJS1D4N06CLTWG
- Fabricant:
- onsemi
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
20,36 €
(TVA exclue)
24,64 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 27 septembre 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 2,036 € | 20,36 € |
| 100 - 240 | 1,756 € | 17,56 € |
| 250 + | 1,523 € | 15,23 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 201-3408
- Référence fabricant:
- NTMJS1D4N06CLTWG
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 262A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | LFPAK | |
| Series | NTMJS1D4N06CL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.3Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 103nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 180W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 1.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 4.9mm | |
| Height | 5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 262A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type LFPAK | ||
Series NTMJS1D4N06CL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.3Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 103nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 180W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 1.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 4.9mm | ||
Height 5mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor 60V N-channel MOSFET has industrial power in a 5x6mm is used for compact and efficient design and including high thermal performance and it is also these device are Pb-free and are RoHS compliant.
Low minimize conduction losses
Low QG and capacitance to minimize driver losses
Liens connexes
- onsemi NTMJS1D4N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin LFPAK NTMJS1D4N06CLTWG
- onsemi NTMYS025N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- onsemi NTMYS021N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- onsemi NTMYS014N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- onsemi NVMYS3D3N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- onsemi NTMJS1D6N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin LFPAK
- onsemi NVMYS025N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- onsemi NVMJS2D5N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin LFPAK