onsemi NTMYS021N06CL Type N-Channel MOSFET, 27 A, 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NTMYS021N06CLTWG
- N° de stock RS:
- 195-2535
- Référence fabricant:
- NTMYS021N06CLTWG
- Fabricant:
- onsemi
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 30 unités)*
28,20 €
(TVA exclue)
34,20 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 30 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 0,94 € | 28,20 € |
| 120 - 270 | 0,811 € | 24,33 € |
| 300 + | 0,703 € | 21,09 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 195-2535
- Référence fabricant:
- NTMYS021N06CLTWG
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 27A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | LFPAK | |
| Series | NTMYS021N06CL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 31.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 28W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.15mm | |
| Length | 5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 27A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type LFPAK | ||
Series NTMYS021N06CL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 31.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 28W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.15mm | ||
Length 5mm | ||
Automotive Standard No | ||
Industrial Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.
Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
LFPAK4 Package, Industry Standard
These Devices are Pb−Free
Liens connexes
- onsemi NTMYS021N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- onsemi NVMYS021N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- onsemi NVMYS021N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NVMYS021N06CLTWG
- onsemi NVMYS025N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- onsemi NTMYS014N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- onsemi NTMJS1D6N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin LFPAK
- onsemi NVMJS2D5N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin LFPAK
- onsemi NVMYS3D3N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK