Vishay Dual TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel MOSFET, 38 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3FDC

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200-6874
Référence fabricant:
SiZ250DT-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

38A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET Gen IV

Package Type

PowerPAIR 3 x 3FDC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.01887Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

33W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3.3mm

Width

3.3 mm

Height

0.75mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay SiZ250DT-T1-GE3 is a dual N-channel 60V (D-S) MOSFETs.

TrenchFET Gen IV power MOSFETs

100 % Rg and UIS tested

Optimized Qgs/Qgs ratio improves switching

characteristics

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