Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 65.8 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- N° de stock RS:
- 200-6865
- Référence fabricant:
- SiR106ADP-T1-RE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 25 unités)*
36,00 €
(TVA exclue)
43,50 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 01 juillet 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 1,44 € | 36,00 € |
| 50 - 100 | 1,225 € | 30,63 € |
| 125 - 225 | 1,08 € | 27,00 € |
| 250 - 600 | 0,937 € | 23,43 € |
| 625 + | 0,864 € | 21,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 200-6865
- Référence fabricant:
- SiR106ADP-T1-RE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 65.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | TrenchFET Gen IV | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83.3W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 52nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 6.15mm | |
| Length | 5.15mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 65.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series TrenchFET Gen IV | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83.3W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 52nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 6.15mm | ||
Length 5.15mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay SiR106ADP-T1-RE3 is a N-channel 100V (D-S) MOSFET.
TrenchFET Gen IV power MOSFET
Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
100 % Rg and UIS tested
Liens connexes
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR106ADP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 45 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIDR638DP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 45 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR150DP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR104ADP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET Gen IV Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8