Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 110 A, 45 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 50 unités)*

35,90 €

(TVA exclue)

43,45 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 06 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
50 - 500,718 €35,90 €
100 - 2000,568 €28,40 €
250 - 4500,503 €25,15 €
500 - 12000,467 €23,35 €
1250 +0,388 €19,40 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
200-6845
Référence fabricant:
SIR150DP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

45V

Series

TrenchFET Gen IV

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.97mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

70nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

6.15mm

Width

5.15 mm

Length

5.15mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay SIR150DP-T1-RE3 is a N-channel 45V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

45 V Drain-source break-down voltage

Tuned for low Qg and Qoss

100 % Rg and UIS tested

Liens connexes