Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIDR638DP-T1-RE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

5 298,00 €

(TVA exclue)

6 411,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 09 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +1,766 €5 298,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
200-6839
Référence fabricant:
SIDR638DP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET Gen IV

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.16mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

204nC

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

0.61mm

Length

6.15mm

Width

5.15 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay SIDR638DP-T1-RE3 is a N-channel 40V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

100 % Rg and UIS tested

Liens connexes