Vishay TrenchFET Gen IV Type P-Channel MOSFET, 18.3 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- N° de stock RS:
- 200-6797
- Référence fabricant:
- Si4425FDY-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,66 € | 33,00 € |
| 100 - 200 | 0,502 € | 25,10 € |
| 250 - 450 | 0,462 € | 23,10 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 200-6797
- Référence fabricant:
- Si4425FDY-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | TrenchFET Gen IV | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 16mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 4.8W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series TrenchFET Gen IV | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 16mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 4.8W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Si4425FDY-T1-GE3 is a P-channel 30V (D-S) MOSFET.
TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET
100% Rg tested
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