Vishay E Type N-Channel MOSFET, 4.3 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 200-6807
- Référence fabricant:
- SiHA690N60E-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 25 unités)*
37,70 €
(TVA exclue)
45,625 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 12 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 1,508 € | 37,70 € |
| 125 - 225 | 1,463 € | 36,58 € |
| 250 - 600 | 1,417 € | 35,43 € |
| 625 - 1225 | 1,367 € | 34,18 € |
| 1250 + | 1,332 € | 33,30 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 200-6807
- Référence fabricant:
- SiHA690N60E-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | E | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 700mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 29W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 13.8mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.3mm | |
| Width | 4.7 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series E | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 700mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 29W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 13.8mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.3mm | ||
Width 4.7 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay SiHA690N60E-GE3 is a E Series power MOSFET.
4th generation E series technology
Low figure-of-merit
Low effective capacitance
Reduced switching and conduction losses
Avalanche energy rated (UIS)
Liens connexes
- Vishay E N-Channel MOSFET 4.3 A 3-Pin TO-220 FP SiHA690N60E-GE3
- Vishay E Series N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin TO-220 FP SiHF080N60E-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 850 V, 3-Pin TO-220 FP SIHA15N80AEF-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 850 V, 3-Pin TO-220 FP SiHA17N80AEF-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 850 V, 3-Pin TO-220 FP SIHA21N80AEF-GE3
- Vishay SiHA105N60EF N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220 FP SIHA105N60EF-GE3
- Vishay SiHA125N60EF N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220 FP SIHA125N60EF-GE3
- Vishay E N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-220 FP SIHA15N80AE-GE3
