onsemi NVMYS025N06CL Type N-Channel MOSFET, 21 A, 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NVMYS025N06CLTWG
- N° de stock RS:
- 195-2552
- Référence fabricant:
- NVMYS025N06CLTWG
- Fabricant:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 0,731 € | 36,55 € |
| 500 - 950 | 0,63 € | 31,50 € |
| 1000 + | 0,546 € | 27,30 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 195-2552
- Référence fabricant:
- NVMYS025N06CLTWG
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 21A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | NVMYS025N06CL | |
| Package Type | LFPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 43mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 24W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.15mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5mm | |
| Width | 4.25 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 21A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series NVMYS025N06CL | ||
Package Type LFPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 43mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 24W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.8nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.15mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5mm | ||
Width 4.25 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requiring enhanced board level reliability.
Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
LFPAK4 Package, Industry Standard
PPAP Capable
These Devices are Pb−Free
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