Références fabricant

onsemi NTMYS025N06CL N-Channel MOSFET, 21 A, 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NTMYS025N06CLTWG

N° de stock RS:: 195-2539
Référence fabricant:: NTMYS025N06CLTWG
Fabricant:: onsemi

onsemi NTMYS025N06CL N-Channel MOSFET, 21 A, 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NTMYS025N06CLTWG

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 195-2539
Référence fabricant:: NTMYS025N06CLTWG
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	21A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	LFPAK
	Series	NTMYS025N06CL
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	43mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	5.8nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	24W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	1.15mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4.25mm
	Length	5mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 21A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type LFPAK
	Series NTMYS025N06CL
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 43mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.8nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 24W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 1.15mm
	Standards/Approvals No
	Width 4.25mm
	Length 5mm
	Automotive Standard No

Datasheet NTMYS025N06CLTWG

Industrial Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.

Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

LFPAK4 Package, Industry Standard

These Devices are Pb−Free

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