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onsemi NTMYS025N06CL Type N-Channel MOSFET, 21 A, 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NTMYS025N06CLTWG

N° de stock RS:: 195-2539
Référence fabricant:: NTMYS025N06CLTWG
Fabricant:: onsemi

onsemi NTMYS025N06CL Type N-Channel MOSFET, 21 A, 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NTMYS025N06CLTWG

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N° de stock RS:: 195-2539
Référence fabricant:: NTMYS025N06CLTWG
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	21A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	LFPAK
	Series	NTMYS025N06CL
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	43mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	5.8nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	24W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Height	1.15mm
	Length	5mm
	Automotive Standard	No

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	Marque onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 21A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type LFPAK
	Series NTMYS025N06CL
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 43mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.8nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 24W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Height 1.15mm
	Length 5mm
	Automotive Standard No

Datasheet NTMYS025N06CLTWG

Industrial Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.

Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

LFPAK4 Package, Industry Standard

These Devices are Pb−Free

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