onsemi NVMYS7D3N04CL Type N-Channel MOSFET, 52 A, 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NVMYS7D3N04CLTWG

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Référence fabricant:
NVMYS7D3N04CLTWG
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

52A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

NVMYS7D3N04CL

Package Type

LFPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

12mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

38W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.15mm

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Width

4.25 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requiring enhanced board level reliability.

Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low Capacitance to Minimize Driver Losses

LFPAK4 Package, Industry Standard

PPAP Capable

These Devices are Pb−Free

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