onsemi NTMYS2D4N04C Type N-Channel MOSFET, 138 A, 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NTMYS2D4N04CTWG

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195-2511
Référence fabricant:
NTMYS2D4N04CTWG
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

138A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

LFPAK

Series

NTMYS2D4N04C

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.25 mm

Height

1.15mm

Length

5mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Industrial Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.

Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

LFPAK4 Package, Industry Standard

These Devices are Pb−Free

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