onsemi NTMJS1D5N04CL Type N-Channel MOSFET, 200 A, 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK NTMJS1D5N04CLTWG
- N° de stock RS:
- 195-2505
- Référence fabricant:
- NTMJS1D5N04CLTWG
- Fabricant:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 2,015 € | 40,30 € |
| 200 - 480 | 1,737 € | 34,74 € |
| 500 + | 1,506 € | 30,12 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 195-2505
- Référence fabricant:
- NTMJS1D5N04CLTWG
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 200A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | NTMJS1D5N04CL | |
| Package Type | LFPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 70nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5mm | |
| Height | 1.15mm | |
| Width | 4.9 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 200A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series NTMJS1D5N04CL | ||
Package Type LFPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 70nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5mm | ||
Height 1.15mm | ||
Width 4.9 mm | ||
Automotive Standard No | ||
Industrial Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.
Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
LFPAK8 Package, Industry Standard
These Devices are Pb−Free
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