onsemi NVMJS1D5N04CL Type N-Channel MOSFET, 200 A, 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK NVMJS1D5N04CLTWG

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195-2509
Référence fabricant:
NVMJS1D5N04CLTWG
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

200A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

NVMJS1D5N04CL

Package Type

LFPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

70nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

5mm

Width

4.9 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.15mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead, dual cool package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

LFPAK8 Package, Industry Standard

PPAP Capable

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