STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 5.5 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT

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N° de stock RS:
192-4656
Référence fabricant:
STL10N60M6
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

PowerFLAT

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

660mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Power Dissipation Pd

48W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5 mm

Length

6mm

Height

0.95mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The new MDmesh™ M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.

Reduced switching losses

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate input resistance

Zener-protected

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