STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 7.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 STS7NF60L
- N° de stock RS:
- 188-8543
- Référence fabricant:
- STS7NF60L
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
16,56 €
(TVA exclue)
20,04 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 7 260 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,656 € | 16,56 € |
| 100 - 490 | 1,133 € | 11,33 € |
| 500 - 2490 | 0,914 € | 9,14 € |
| 2500 + | 0,854 € | 8,54 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 188-8543
- Référence fabricant:
- STS7NF60L
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 21mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.65mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 21mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.65mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5mm | ||
Automotive Standard No | ||
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
TYPICAL RDS(on) = 0.017 Ω
LOW THRESHOLD DRIVE
STANDARD OUTLINE FOR EASY AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY
APPLICATIONS
DC MOTOR DRIVE
DC-DC CONVERTERS
BATTERY MANAGEMENT INOMADIC EQUIPMENT
POWER MANAGEMENT IPORTABLE/DESKTOP Pcs
Liens connexes
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- STMicroelectronics STGAP2 Type N-Channel MOSFET 1700 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7351TRPBF
- STMicroelectronics STGAP2 Type N-Channel MOSFET 1700 V Enhancement, 8-Pin SO-8 STGAP2SICSNC
- STMicroelectronics SuperMESH Dual N-Channel MOSFET 450 V Enhancement, 8-Pin SO-8 STS1DNC45
- STMicroelectronics STS N channel-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 STS10N3LH5