Références fabricant

STMicroelectronics STS N channel-Channel Power MOSFET, 10 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 STS10N3LH5

N° de stock RS:: 719-621
Référence fabricant:: STS10N3LH5
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STS N channel-Channel Power MOSFET, 10 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 STS10N3LH5

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 719-621
Référence fabricant:: STS10N3LH5
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	N channel
	Maximum Continuous Drain Current Id	10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SO-8
	Series	STS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.021Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4.6nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	22V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	4mm
	Length	5mm
	Height	1.75mm

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	Marque STMicroelectronics
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type N channel
	Maximum Continuous Drain Current Id 10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SO-8
	Series STS
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.021Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.6nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 4mm
	Length 5mm
	Height 1.75mm

Datasheet - STS10N3LH5

The STMicroelectronics STripFET™V Power MOSFET technology is among the latest improvements, which have been especially tailored to achieve very low on-state resistance providing also one of the best-in-class FOM.

Extremely low on-resistance RDS(on)

Very low switching gate charge

High avalanche ruggedness

Low gate drive power losses

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