Vishay SiSS92DN Type N-Channel MOSFET, 12.3 A, 250 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS92DN-T1-GE3

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188-4960
Référence fabricant:
SiSS92DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Series

SiSS92DN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

190mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

65.8W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10.4nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Height

0.78mm

Width

3.3 mm

Distrelec Product Id

304-32-538

Automotive Standard

No

N-Channel 250 V (D-S) MOSFET.

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