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Vishay SiSS26LDN N-Channel MOSFET, 81.2 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS26LDN-T1-GE3

N° de stock RS:: 188-4901
Référence fabricant:: SISS26LDN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiSS26LDN N-Channel MOSFET, 81.2 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS26LDN-T1-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 188-4901
Référence fabricant:: SISS26LDN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	81.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	SiSS26LDN
	Package Type	PowerPAK 1212
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	6.2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	31.5nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	57W
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	3.3mm
	Standards/Approvals	No
	Length	3.3mm
	Height	780μm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 81.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series SiSS26LDN
	Package Type PowerPAK 1212
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 6.2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31.5nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 57W
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 3.3mm
	Standards/Approvals No
	Length 3.3mm
	Height 780μm
	Automotive Standard No

Datasheet SISS26LDN-T1-GE3

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

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