Références fabricant

Vishay Single 1 Type N-Channel MOSFET, 2.4 A, 50 V, 4-Pin HVMDIP

N° de stock RS:: 180-8673
Référence fabricant:: IRFD020PBF
Fabricant:: Vishay

Vishay Single 1 Type N-Channel MOSFET, 2.4 A, 50 V, 4-Pin HVMDIP

Offre groupée disponible

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

4,45 €

(TVA exclue)

5,40 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

Dernier stock RS

80 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution

Unité	Prix par unité	le paquet*
5 - 45	0,89 €	4,45 €
50 - 245	0,818 €	4,09 €
250 - 495	0,756 €	3,78 €
500 - 1245	0,712 €	3,56 €
1250 +	0,67 €	3,35 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 180-8673
Référence fabricant:: IRFD020PBF
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	50V
	Package Type	HVMDIP
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.1Ω
	Forward Voltage Vf	1.4V
	Maximum Power Dissipation Pd	1W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	24nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Single
	Height	0.330in
	Standards/Approvals	RoHS Directive 2002/95/EC
	Length	0.29in
	Width	0.425 in
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 50V
	Package Type HVMDIP
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.1Ω
	Forward Voltage Vf 1.4V
	Maximum Power Dissipation Pd 1W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Single
	Height 0.330in
	Standards/Approvals RoHS Directive 2002/95/EC
	Length 0.29in
	Width 0.425 in
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard No

Datasheet

Pays d'origine :: PH

Vishay MOSFET

The Vishay MOSFET is an N-channel, HVMDIP-4 package is a new age product with a drain-source voltage of 50V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 100mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 1W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Compact, end stackable

• Ease of paralleling

• Excellent temperature stability

• Fast switching

• For automatic insertion

• Lead (Pb) free component

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

Applications

• Battery chargers

• Inverters

• Power supplies

• Switching mode power supply (SMPS)

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.