Vishay Single 1 Type P-Channel MOSFET, 1 A, 100 V Enhancement, 4-Pin HVMDIP IRFD9120PBF

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N° de stock RS:
178-0917
Référence fabricant:
IRFD9120PBF
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

1 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

100 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

4

Package Type

HVMDIP

Height

3.37 mm

Length

5 mm

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

600 mΩ

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

20 V, -20 V

Maximum Operating Temperature

175 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

1.3 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Mount Type

Through Hole

Width

6.29 mm

The Vishay third generation power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1" pin centres.

Dynamic dV/dt rating

Repetitive avalanche rated

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