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Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET, -0.4 A, 200 V, 4-Pin HVMDIP IRFD9210PBF

N° de stock RS:: 180-8628
Référence fabricant:: IRFD9210PBF
Fabricant:: Vishay

Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET, -0.4 A, 200 V, 4-Pin HVMDIP IRFD9210PBF

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 180-8628
Référence fabricant:: IRFD9210PBF
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	-0.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	HVMDIP
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3Ω
	Maximum Power Dissipation Pd	1W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	8.9nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Single
	Height	8.38mm
	Width	5mm
	Standards/Approvals	RoHS 2002/95/EC
	Length	10.79mm
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id -0.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type HVMDIP
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω
	Maximum Power Dissipation Pd 1W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.9nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Single
	Height 8.38mm
	Width 5mm
	Standards/Approvals RoHS 2002/95/EC
	Length 10.79mm
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard No

Datasheet

Pays d'origine :: PH

The Vishay IRFD9210 is a P-channel power MOSFET having drain to source(Vds) voltage of -200V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having HVMDIP package. It offers drain to source resistance (RDS.) 3ohms at 10VGS.

Dynamic dV/dt rating

Repetitive avalanche rated

For automatic insertion

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