Vishay N-Channel MOSFET, 1.3 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP IRLD120PBF

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N° de stock RS:
178-0923
Référence fabricant:
IRLD120PBF
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.3 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

HVMDIP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

270 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

12 nC @ 5 V

Length

5mm

Width

6.29mm

Height

3.37mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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