Références fabricant

Vishay Single 1 N-Channel MOSFET, 1.3 A, 100 V Enhancement, 4-Pin HVMDIP IRLD120PBF

N° de stock RS:: 178-0923
Référence fabricant:: IRLD120PBF
Fabricant:: Vishay

Vishay Single 1 N-Channel MOSFET, 1.3 A, 100 V Enhancement, 4-Pin HVMDIP IRLD120PBF

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 178-0923
Référence fabricant:: IRLD120PBF
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Transistor Configuration	Single
	Number of Elements per Chip	1
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	1.3 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	100 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	4
	Package Type	HVMDIP
	Height	3.37 mm
	Length	5 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	270 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	10 V, -10 V
	Maximum Operating Temperature	175 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	1.3 W
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Through Hole
	Width	6.29 mm

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	Marque Vishay
	Transistor Configuration Single
	Number of Elements per Chip 1
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 1.3 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 100 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 4
	Package Type HVMDIP
	Height 3.37 mm
	Length 5 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 270 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) 10 V, -10 V
	Maximum Operating Temperature 175 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 1.3 W
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Through Hole
	Width 6.29 mm

Datasheet

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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