Vishay Single 1 Type N-Channel MOSFET, 42 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8L SQJ488EP-T1_GE3

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180-8020
Référence fabricant:
SQJ488EP-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

42A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK SO-8L

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.021Ω

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

27nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Single

Length

5.25mm

Width

6.25 mm

Height

1.14mm

Standards/Approvals

AEC-Q101

Number of Elements per Chip

1

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
The Vishay SQJ457EP is a automotive N-channel 175°C maximum junction temperature MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 100V. The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having Power PAK SO-8L package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.021ohms at 10VGS and 0.0258ohms at 4.5VGS. Maximum drain current 42A.

Trench FET power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

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