Vishay Single E N-Channel MOSFET, 21 A, 600 V TO-220 SIHA22N60E-E3

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180-7900
Référence fabricant:
SIHA22N60E-E3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220

Series

E

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.18Ω

Maximum Power Dissipation Pd

35W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

86nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Transistor Configuration

Single

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

13.8mm

Standards/Approvals

No

Width

10.3mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay SIHA22N60E is a E series N-channel power MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 600V.The gate to source voltage(VGS) is 30V. It is having Thin-Lead TO-220 FULLPAK package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.18ohms at 10VGS. Maximum drain current 8A.

Low figure of merit (FOM) Ron x Qg

Low input capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

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