Vishay Single E Type N-Channel MOSFET, 21 A, 600 V TO-220 SIHA22N60E-E3
- N° de stock RS:
- 180-7900
- Référence fabricant:
- SIHA22N60E-E3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
9,44 €
(TVA exclue)
11,42 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 14 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,72 € | 9,44 € |
| 20 - 48 | 4,26 € | 8,52 € |
| 50 - 98 | 4,07 € | 8,14 € |
| 100 - 198 | 3,875 € | 7,75 € |
| 200 + | 3,31 € | 6,62 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 180-7900
- Référence fabricant:
- SIHA22N60E-E3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 21A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | E | |
| Package Type | TO-220 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.18Ω | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 86nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 35W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Length | 13.8mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 10.3 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 21A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series E | ||
Package Type TO-220 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.18Ω | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 86nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 35W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Single | ||
Length 13.8mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 10.3 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay SIHA22N60E is a E series N-channel power MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 600V.The gate to source voltage(VGS) is 30V. It is having Thin-Lead TO-220 FULLPAK package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.18ohms at 10VGS. Maximum drain current 8A.
Low figure of merit (FOM) Ron x Qg
Low input capacitance (Ciss)
Reduced switching and conduction losses
Liens connexes
- Vishay Single E Type N-Channel MOSFET 600 V TO-220
- Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin TO-220
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB155N60EF-GE3
- Vishay Single EF 1 Type N-Channel Power MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220AB
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SiHF30N60E-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin TO-220 SIHP065N60E-GE3