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Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 3.5 A, 8 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT SI8802DB-T2-E1

N° de stock RS:: 180-7724
Référence fabricant:: SI8802DB-T2-E1
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 3.5 A, 8 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT SI8802DB-T2-E1

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N° de stock RS:: 180-7724
Référence fabricant:: SI8802DB-T2-E1
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	8V
	Package Type	MICRO FOOT
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	54mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	0.6W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4.3nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	0.8mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 8V
	Package Type MICRO FOOT
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 54mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 0.6W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.3nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 0.8mm
	Automotive Standard No

Datasheet

The Vishay Siliconix SI8802DB series TrenchFET N channel power MOSFET has drain to source voltage of 8 V. It is maximum power dissipation of 0.9 W and mainly used in Load switch with low voltage drop.

Low on-resistance

Halogen free

Pb free

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