Références fabricant

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 16 A, 12 V Enhancement, 6-Pin MICRO FOOT SI8483DB-T2-E1

N° de stock RS:: 180-7326
Référence fabricant:: SI8483DB-T2-E1
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 16 A, 12 V Enhancement, 6-Pin MICRO FOOT SI8483DB-T2-E1

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 180-7326
Référence fabricant:: SI8483DB-T2-E1
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	16A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	12V
	Series	TrenchFET
	Package Type	MICRO FOOT
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	26mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	13W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	10V
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	21nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	1mm
	Standards/Approvals	No
	Length	1.5mm
	Height	590μm
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 16A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 12V
	Series TrenchFET
	Package Type MICRO FOOT
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 26mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 13W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 10V
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 1mm
	Standards/Approvals No
	Length 1.5mm
	Height 590μm
	Automotive Standard No

Datasheet

Pays d'origine :: CN

The Vishay Siliconix Si8483DB series TrenchFET dual N channel power MOSFET has drain to source voltage of 12 V. It is maximum power dissipation of 13 W and mainly used in load switch in portable devices.

Low voltage drop

Low power consumption

Increased battery life

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