Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 16 A, 12 V Enhancement, 6-Pin MICRO FOOT
- N° de stock RS:
- 180-7326
- Référence fabricant:
- SI8483DB-T2-E1
- Fabricant:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
687,00 €
(TVA exclue)
831,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 24 mai 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,229 € | 687,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 180-7326
- Référence fabricant:
- SI8483DB-T2-E1
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 16A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 12V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | MICRO FOOT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 26mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 13W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 1.5mm | |
| Height | 0.59mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 16A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 12V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type MICRO FOOT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 26mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 13W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 1.5mm | ||
Height 0.59mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay Siliconix Si8483DB series TrenchFET dual N channel power MOSFET has drain to source voltage of 12 V. It is maximum power dissipation of 13 W and mainly used in load switch in portable devices.
Low voltage drop
Low power consumption
Increased battery life
Liens connexes
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 6-Pin MICRO FOOT SI8483DB-T2-E1
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 8 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 8 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT SI8802DB-T2-E1
- Vishay Si8489EDB Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT
- Vishay Si8489EDB Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT SI8489EDB-T2-E1
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT SI8916EDB-T6-E1
- Vishay Type N-Channel MOSFET 8 V, 6-Pin MICRO FOOT
- Vishay Type N-Channel MOSFET 20 V, 4-Pin MICRO FOOT