Références fabricant

Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 2.5 A, 20 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT SI8916EDB-T6-E1

N° de stock RS:: 735-232
Référence fabricant:: SI8916EDB-T6-E1
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 2.5 A, 20 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT SI8916EDB-T6-E1

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 735-232
Référence fabricant:: SI8916EDB-T6-E1
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	MICRO FOOT
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	75mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	0.77W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	5.6nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	1.11mm
	Width	1.11mm
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Height	130μm
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type MICRO FOOT
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 75mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 0.77W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.6nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 1.11mm
	Width 1.11mm
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Height 130μm
	Automotive Standard No

Datasheet - SI8916EDB-T6-E1

Pays d'origine :: CN

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