Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 2.5 A, 20 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT SI8916EDB-T6-E1

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N° de stock RS:
735-232
Référence fabricant:
SI8916EDB-T6-E1
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

MICRO FOOT

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

75mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.6nC

Maximum Power Dissipation Pd

0.77W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Height

0.13mm

Length

1.11mm

Width

1.11mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

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