Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 250 A, 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SQM40016EM_GE3

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178-3926
Référence fabricant:
SQM40016EM_GE3
Fabricant:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

250A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-263

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.001Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

245nC

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Height

11.3mm

Width

4.83 mm

Length

10.67mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
TW
TrenchFET® power MOSFET

Package with low thermal resistance

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